본문 바로가기

MOSFET11

Small-Signal Model [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.31~34)2.4. MOS Device Models2.4.3. MOS Small-Signal ModelLarge-Signal Model과 Small-Signal ModelTriode, saturation region에서의 Id 공식인 Eq.(2.8)과 Eq.(2.9)에 설명된 quadratic characteristic과, 이전에 유도된 voltage-dependent capacitance는 MOSFET의 large-signal 모델을 형성합니다.Large-signal model은 신호가 bias .. 2024. 10. 7.
MOSFET Parasitic Capacitances(Device Capacitances) [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.27~31)2.4. MOS Device Models2.4.2. MOS Device Capacitances5개의 MOSFET Device Capacitance(Parasitic Capacitance)이전 section에서 살펴본 MOSFET의 I/V 관계(body effect, channel-length modulation 등을 포함한)는 CMOS 회로의 low-frequency behavior에 대한 것입니다.하지만, 아날로그 회로에서 high-frequency behavior까지 예측하기 위해서는.. 2024. 10. 6.
MOSFET Device Layout(Contact Window, Metal Wire, Design Rule) [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.26~27)2.4. MOS Device Models2.4.1. MOS Device LayoutMOSFET Layout이 단원에서는 MOSFET의 layout에 대해 간단히 설명하며, 더 심화된 내용은 Chapter 18, 19에서 설명합니다.MOSFET의 layout은 ① 요구되는 전기적 특성, ② 공정의 "design rule"에 따라 결정됩니다. 예를 들어, ① transconductance나 다른 circuit parameter를 맞추기 위한 W/L과, ② L의 최소 길이를 지켜 layout을.. 2024. 10. 6.
MOSFET Second-Order Effects(4) - Voltage Limatations, Punch-Through [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.26)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 가장 설명이 간단한 pun.. 2024. 10. 6.
MOSFET Second-Order Effects(3) - Subthreshold Conduction [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.24~26)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 subthreshol.. 2024. 10. 6.
MOSFET Second-Order Effects(2) - Channel Length Modulation [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.23~24)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 channel-len.. 2024. 10. 6.
MOSFET Second-Order Effects(1) - Body Effect [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.20~22)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 body effect.. 2024. 10. 6.
MOSFET의 I/V 특성(2) - Transconductance(gm) [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.19~20)2.2.3 MOS TransconductanceTransconductance, gmSaturation에서 동작하는 MOSFET은 overdrive voltage(Vov)가 인가되면 전류를 생성합니다.그렇다면 우리는 device가 전압을 전류로 얼마나 잘 전환시키는지에 대한 figure of merit(성능 지수)를 정의할 수 있습니다. 좀더 구체적으로, signal processing에서는 전압과 전류의 '변화'를 다루기 때문에, drain current(Id)의 변화를 Vgs의 변화로 .. 2024. 10. 5.
MOSFET의 I/V 특성(1) - Triode, Saturation, Pinch-off, Id 수식 [Razavi][Ch2] 출처: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.12~19)2.2 MOS I/V Characteristics2.2.2. Derivation of I/V CharacteristicsMOSFET의 drain current와 terminal voltage(Vg, Vd, Vs, Vb)의 관계를 알아보기 위해, 두 가지 관찰을 해 봅시다. 첫 번째 관찰먼저, 전류 I가 흐르는 반도체 bar가 있다고 생각하는 겁니다.만약 전류 방향으로 이동하는 charge density가 Qd[C/m]이고, charge의 속도가 v[m/s]라면, I는 아래와 같은 수식으로.. 2024. 10. 4.

티스토리툴바