전체 글41 CS Stage(1) - Resistive Load [Razavi][Ch3] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 3 - Single-Stage Amplifiers (pg. 47~52)2024.10.29 - [CMOS IC Design] - (개요) Single-Stage Amplifiers [Razavi][Ch3] (개요) Single-Stage Amplifiers [Razavi][Ch3]참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 3 - Single-Stage Amplifiers (pg. 45~47)3.1. ApplicationsAmplifier는 휴대폰, 노트.. 2024. 10. 29. (개요) Single-Stage Amplifiers [Razavi][Ch3] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 3 - Single-Stage Amplifiers (pg. 45~47)3.1. ApplicationsAmplifier는 휴대폰, 노트북, 디지털 카메라 등의 전자기기에 모두 쓰입니다. 전자기기에 사용되는 대표적인 amplifier로는 LNA와 PA가 있는데요. 휴대폰을 예로 들자면, 우선 LNA는 휴대폰의 receiver에서 안테나로부터 받은 작은 신호를 감지하고 증폭시키는 역할을 합니다. 충분한 세기를 만들기 위해 이후 증폭 단계를 더 거치긴 합니다. 휴대폰의 transmitter에서는 마이크에서 만들어낸 신호가 안테나로 전달되기 전에 신호를 증폭하는 .. 2024. 10. 29. FinFETs, MOSCAP [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.36~37)2.5. Appendix A: FinFETsCMOS 기술이 발전하면서, 2D transistor 구조뿐 아니라 3D transistor 구조의 FinFET이 생겼습니다.FinFET은 channel length가 약 20nm보다 작아지면 아주 좋은 성능을 보입니다.FinFET의 I/V characteristic은 large-signal mode에 더 가깝습니다. Fig. 2.42(a)를 보면, FinFET은 세워져 있는 silicon “fin”, fin을 덮고 있는 dielectric(.. 2024. 10. 29. Small-Signal Model [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.31~34)2.4. MOS Device Models2.4.3. MOS Small-Signal ModelLarge-Signal Model과 Small-Signal ModelTriode, saturation region에서의 Id 공식인 Eq.(2.8)과 Eq.(2.9)에 설명된 quadratic characteristic과, 이전에 유도된 voltage-dependent capacitance는 MOSFET의 large-signal 모델을 형성합니다.Large-signal model은 신호가 bias .. 2024. 10. 7. MOSFET Parasitic Capacitances(Device Capacitances) [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.27~31)2.4. MOS Device Models2.4.2. MOS Device Capacitances5개의 MOSFET Device Capacitance(Parasitic Capacitance)이전 section에서 살펴본 MOSFET의 I/V 관계(body effect, channel-length modulation 등을 포함한)는 CMOS 회로의 low-frequency behavior에 대한 것입니다.하지만, 아날로그 회로에서 high-frequency behavior까지 예측하기 위해서는.. 2024. 10. 6. MOSFET Device Layout(Contact Window, Metal Wire, Design Rule) [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.26~27)2.4. MOS Device Models2.4.1. MOS Device LayoutMOSFET Layout이 단원에서는 MOSFET의 layout에 대해 간단히 설명하며, 더 심화된 내용은 Chapter 18, 19에서 설명합니다.MOSFET의 layout은 ① 요구되는 전기적 특성, ② 공정의 "design rule"에 따라 결정됩니다. 예를 들어, ① transconductance나 다른 circuit parameter를 맞추기 위한 W/L과, ② L의 최소 길이를 지켜 layout을.. 2024. 10. 6. MOSFET Second-Order Effects(4) - Voltage Limatations, Punch-Through [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.26)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 가장 설명이 간단한 pun.. 2024. 10. 6. MOSFET Second-Order Effects(3) - Subthreshold Conduction [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.24~26)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 subthreshol.. 2024. 10. 6. MOSFET Second-Order Effects(2) - Channel Length Modulation [Razavi][Ch2] 참고: Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second EditionChapter 2 - Basic MOS Device Physics (pg.23~24)2.3. Second-Order Effects이 단원 전까지는 MOS 구조를 쉽게 이해하기 위해, 실제 아날로그 회로와는 맞지 않는 여러 가지 가정을 붙였습니다.이 단원에서는 실제 회로 동작에 가깝고, 이후의 회로 분석에 매우 중요한 4개의 second-order effect를 알아볼 것입니다.바로 body effect, channel-length modulation, subthreshold conduction, punch-through입니다. 이 포스팅에서는 이 중 channel-len.. 2024. 10. 6. 이전 1 2 3 4 5 다음
